Zálohovaný RAM disk pro Sharp MZ-800 (VCTM1)

Aby byla sada replik RAMdisků původní česko-slovenské konstrukce kompletní, připravil Radek Suk podklady a nechal udělat desky na zálohovaný RAMdisk. Tento RAMdisk byl ve své době velice populární, protože na rozdíl od RAMdisku PEZIK Pavla Zemčíka umožňoval zálohování akumulátorem a tím udržení dat v řádu dnů až týdnů. Navíc byl kompatibilní s originálním Sharp MZ-1R18 a umožňoval provoz v neupraveném BASICu i bootování počítače přímo z RAMdisku. Na druhou stranu je konstrukce výrazně složitější a bez správných součástek i složitější na oživení.

RAMdisk používá jednobitové dynamické paměti 256kbit nebo 1Mbit. Pro refresh pamětí se využívá tzv. autorefresh /CAS-before-/RAS, kdy paměti jsou interně vybaveny čítačem a přivedením signálu /CAS před /RAS, což je naopak než při běžném provozu, se paměť refreshuje a inkrementuje se interní čítač. Pro řízení za chodu se využívá naprogramovaná paměť PROM 74188 (8×32), zatímco při napájení z baterie udržuje refresh pamětí oscilátor tvořený známým obvodem 555 a /CAS před /RAS je vytvářen dvěma tranzistory. O plynulý přechod na bateriové napájení se stará Schmittův klopný obvod tvořený opět tranzistory.

Použití časovače 555 společně s tranzistory zaručuje relativně nízký odběr, který je závislý na použitých pamětech. Dobové zdroje uvádějí 5-50 mA, já jsem s pamětmi Samsung KM41C1000P-10 naměřil odběr z 3.6 V akumulátoru asi 11 mA. Můj malinký 80 mAh akumulátorek, který jsem použil na pokusy by tak dlouho RAMdisk neuživil, ale běžně se používala trojice AA akumulátorů, která nabízela výdrž v řádu několika dní až týdne. To při každodenním provozu bylo naprosto bezpečné.

Přesto, že mi RAMdisk šlapal na první zapojení, nedalo mi to a udělal jsem pár pokusů s použitím pamětí od různých výrobců a také jsem zkusil nahradit obvody 74LS za 74HCT.

Paměti jsem zkoušel již zmiňované Samsung KM41C1000P-10 i jejich sofistikovaněji verzi KM41C1000AP-10, dále Siemens HYB511000B-70 a Toshiba TC511000AP-10. Zatímco s 74LS logikou fungovaly všechny paměti bez problémů, u HCT logiky jsem s pamětmi Siemens a Toshiba narazil a za chodu mi vypadávaly bity. Asi by si to chtělo pohrát s časováním, nastavením kondenzátoru C11, který má na svědomí refresh, ale příliš do hloubky jsem to nezkoumal. Zkusil jsem vyměnit jen mulitplexery 74157 za LS, to skoro pomohlo, ale stále se sem tam nějaká chybka objevila. Obě verze pamětí Samsung fungovaly bez chyb s LS i HCT logikou.

Pokud budete RAMdisk stavět, doporučím tedy určitě LS logiku a ve spolupráci s pamětmi Samsung je to tutovka .